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功率半導(dǎo)體材料功率半導(dǎo)體芯片功率半導(dǎo)體器件功率半導(dǎo)體模塊

芯片規(guī)格	正向電流	反向重復(fù)峰值電壓	反向峰值漏電流	二極管的反向恢復(fù)時(shí)間	二極管正向壓降	結(jié)溫范圍	鈍化層
	A	V	μA	nS	V	℃
HSF1020A	10	200	≤10	≤60	≤1.3	-55～150	有
HSF1540A	15	400	≤10	≤60	≤1.4	-55～150	有
HSF3040A	30	400	≤10	≤60	≤1.35	-55～150	有
HSF4540A	45	400	≤10	≤60	≤1.3	-55～150	有
HSF1560A	15	600	≤10	≤60	≤1.9	-55～150	有
HSF25120A	25	1200	≤10	≤100	≤2.2	-55～150	有
HSF50120A	50	1200	≤10	≤100	≤2.5	-55～150	有

注1：背面金屬為銀，表面金屬為鋁或銀。

注2：產(chǎn)品參數(shù)及規(guī)格可根據(jù)客戶要求定制。

注3：聚酰亞胺做鈍化層，具有高可靠性。

芯片規(guī)格正向電流反向重復(fù)峰值電壓反向峰值漏電流二極管的反向恢復(fù)時(shí)間二極管正向壓降結(jié)溫范圍鈍化層

A V μA
nS
V ℃

HSMF2060A 20 600 ≤10 ≤60
≤1.70
-55～150
復(fù)合型

HSMF6060A 60 600 ≤10
≤90
≤2.00
-55～150
復(fù)合型

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